长江存储科技(YMTC)本周早些时候表示，已经开始批量生产采用专有Xtacking架构的64层3D NAND存储器。这些存储器完全在国内自主开发，未来将应用于固态硬盘和UFS存储，但并未透露具体的产品和上线时间。长将存储的64层3D TLC NAND具备256Gb的存储容量，但接口速度未知。

　　长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品，拥有同代产品中最高的存储密度。Xtacking可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的制造工艺。

　　当两片晶圆各自完工后，Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

　　长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示：“通过将Xtacking架构引入批量生产，能够显著提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。”

　　程卫华还提到，“随着5G，人工智能和超大规模数据中心时代的到来，闪存市场的需求将持续增长。长江存储64层3D NAND闪存产品的量产将为全球存储器市场健康发展注入新动力。”

　　长江存储的Xstacking技术是基于武汉新芯科技的CIS传感器芯片上开发的堆栈技术，它把外围电路置于存储单元之上，外围电路和存储单元是2片晶圆，2颗裸芯片的大小是一样的，这就意味着其CMOS可用面积远大于其他传统3D NAND架构，从而实现更高的存储密度。

　　相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

　　目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps，而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技术我们有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，与DRAM DDR4的I/O速度相当。

　　根据官方消息，现在基于Xstacking堆栈技术的64层闪存主要用于固态硬盘、UFS等产品，以满足数据中心，以及企业级服务器、个人电脑和移动设备制造商的需求。基于Xstacking 2.0技术的第三代闪存被广泛应用于数据中心，企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域，并将开启高性能、定制化NAND解决方案的全新篇章，整体上定位更高一些。