SK海力士公司今天宣布，已经开发并开始大规模生产世界上第一款128层1 Tb (Terabit) TLC 4D NAND闪存。

　　据介绍，128层的1tb NAND芯片提供了业界最高的垂直堆叠，拥有3600多亿个NAND单元，每个单元在一个芯片上存储3位。

　　SK 海力士称，包括SK海力士在内的许多公司已经开发了1 Tb QLC NAND产品，但SK海力士是第一个将1 Tb TLC NAND闪存商业化的公司。TLC在NAND闪存市场中占有85%以上的份额，具有良好的性能和可靠性。

　　SK海力士计划明年上半年为主要旗舰智能手机客户开发下一代UFS 3.1产品，拥有128层1tb NAND闪存，1毫米厚封装，功耗降低20%。