SK海力士宣布，已经全球第一家研发成功并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。

　　SK海力士由此实现了业内最高的闪存垂直堆叠密度，单颗芯片集成超过3600亿个闪存单元，每一个可存储3个比特位，为此SK海力士应用了一系列创新技术，比如超同类垂直蚀刻技术、高可靠性多层薄膜单元成型技术、超快低功耗电路技术，等等。

　　同时，新的128层4D闪存单颗容量1Tb(128GB)，是业内存储密度最高的TLC闪存，每颗晶圆可生产的比特容量也比96层堆叠增加了40%。

　　虽然包括SK海力士在内多家厂商都研发出了1Tb QLC闪存，但这是TLC闪存第一次达到单颗1Tb。TLC目前占闪存市场规模的超过85%，可靠性和寿命都优于QLC，当然被其取代也是早晚的事儿。

　　其他规格方面，新闪存可以在1.2V电压下实现1400Mbps的数据传输率，可用于高性能、低功耗的手机存储、企业级SSD。

　　SK海力士的4D NAND闪存技术是去年10月份官宣的，所谓4D是指单芯片四层架构设计，结合了3D CTF(电荷捕获闪存)设计、PUC(Peri. Under Cell)技术，后者是指制造闪存时先形成外围区域再堆叠晶胞，有助于缩小芯片面积。

　　利用这种架构设计，SK海力士在从96层堆叠到128层堆叠时，虽然层数增加了三分之一，但是制造工艺步骤减少了5%，整体投资也比之前减少了60%。

　　SK海力士将在今年下半年批量出货128层1Tb 4D闪存，并开始一系列相关产品研发：

　　明年上半年开发下一代UFS 3.1存储，将1TB大容量手机所需的闪存芯片数量减半，同时封装厚度控制在1毫米左右，功耗降低20%。

　　明年上半年量产2TB消费级SSD，自研主控和软件。

　　明年发布16TB、32TB NVMe企业级SSD。

　　SK海力士还透露，正在研发176层堆叠的下一代4D NAND闪存。